igbt工作原理-凯时登录

      ld33153（替代mc33153）是专为igbt驱动器设计的，用于包括交流感应电机控制、无刷直流电机控制和不间断电源（ups）的大功率应用。

igbt(insulated gate bipolar transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。gtr饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；mosfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

igbt的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给pnp(原来为npn)晶体管提供基极电流，使igbt导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使igbt关断。

igbt原理图如下：